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=== 有两类互补判据可以用来判断隧穿是否主导： ===

===== 比较 E00E_{00}E00 与 kTkTkT（温度能量）： =====
* 如果 E00≪kTE_{00} \ll kTE00≪kT：TE 主导（热激发越过势垒）。
* 如果 E00∼kTE_{00} \sim kTE00∼kT：TFE（热力场发射）——热激发与隧穿共同重要。
* 如果 E00≫kTE_{00} \gg kTE00≫kT：FE（冷场发射/隧穿）主导。

（这个判据常见于半导体器件物理与 Sze 类型教材，便于把掺杂、有效质量与介电常数联系成一个能量量纲的比较量。）

===== 1. 计算耗尽宽度 WWW。 =====
# 若 WWW 足够小（工程上常用经验阈值 Wcrit∼W_{\text{crit}}\simWcrit∼ 几纳米，典型 1–5 nm），则隧穿概率极大，隧穿占主导 → 欧姆接触行为。
# 若 WWW 大（数十 nm 以上），热发射主导 → 肖特基行为。

这个判据更直观：隧穿概率随 WWW 指数变化（WKB 指数中含 WWW），所以宽度的“纳米尺度”差异会导致从整流到欧姆的根本转变。