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=== 理想情况下（无界面态、无电荷）金属与半导体接触时的肖特基势垒高度（对电子） ===

ΦB,n=ϕm−χ\Phi_{B,n} = \phi_m - \chiΦB,n=ϕm−χ
* ϕm\phi_mϕm：金属功函数（从真空到金属费米能级的能量）
* χ\chiχ：半导体电子亲和势（从真空到导带底 EcE_cEc 的能量）

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费米平衡后，半导体侧相对金属的'''内建势（built-in）'''可写为（以电压量表示）

Vbi=ΦB,n−Ec−EFqV_{bi} = \Phi_{B,n} - \frac{E_c - E_F}{q}Vbi=ΦB,n−qEc−EF
其中 Ec−EFE_c-E_FEc−EF 与掺杂浓度 NDN_DND 有关（越重掺杂 EFE_FEF 越接近导带）。