Jump to content
Main menu
Main menu
move to sidebar
hide
Navigation
Main page
Recent changes
Random page
freem
Search
Search
Appearance
Create account
Log in
Personal tools
Create account
Log in
Pages for logged out editors
learn more
Contributions
Talk
Editing
Openai/690927cf-e0d8-8004-b1ed-8bee9ac272d2
(section)
Add languages
Page
Discussion
English
Read
Edit
Edit source
View history
Tools
Tools
move to sidebar
hide
Actions
Read
Edit
Edit source
View history
General
What links here
Related changes
Special pages
Page information
Appearance
move to sidebar
hide
Warning:
You are not logged in. Your IP address will be publicly visible if you make any edits. If you
log in
or
create an account
, your edits will be attributed to your username, along with other benefits.
Anti-spam check. Do
not
fill this in!
== gpt-5-thinking == === User: Сделать === Сделать === Assistant: Ниже — научно-философский комментарий к статье о нейроморфном устройстве с адаптивным водородным градиентом и к вашей и… === Ниже — научно-философский комментарий к статье о нейроморфном устройстве с адаптивным водородным градиентом и к вашей идее «водородной электроники» (Watertronics). ==== Статья демонстрирует устройство, где обучение реализовано на уровне вещества: управляемое перераспределение водорода (по сути, протонов H⁺) меняет локальные электронные состояния и проводимость, формируя долговременные «следы» стимуляции — прямой аналог синаптической пластичности в мозге. Это уже не программа, которая учит кремний, а вещество, которое учит само себя. ==== Философская реплика. Если информация — это «выбор одного состояния из многих», то здесь выбор закрепляется ионной (протонной) архитектурой. Отсюда сильная теза: память как устойчивое расслоение материи; «смысл» — это устойчивый паттерн взаимодействий (электронно-ионных ионик), позволяющий системе предсказывать и адаптироваться к входам. ==== С точки зрения физики твёрдого тела, «hydrogen gradient» в таких оксидах — это практически всегда градиент протонов в O-подрешётке; протоны лёгкие, подвижные, образуют связи O–H···O и легко перестраивают локальную ландшафтную энергетику. Это делает протонный перенос естественным механизмом: ==== * экономичным по энергии, * быстро обратимым, * способным к тонкой аналоговой настройке проводимости. В статье показано, что именно такой градиент обеспечивает self-sensitization — рост чувствительности/«натренированности» без внешнего алгоритма обучения. Философская реплика. Водород (протон) — фундаментальный «бит-носитель» в природе (биоэнергетика, кислотно-основные реакции, водородные связи в белках/ДНК). В нейроморфике он становится битом-носителем на уровне материи, стирая границу «аппаратное ↔ программное». ==== Живые системы давно используют протонные градиенты (митохондрии, бактериальные мембраны) как универсальную «валюту» преобразования энергии и сигнала. В обсуждаемом устройстве протонный градиент управляет физической пластичностью— долговременными изменениями проводимости, которые кодируют историю стимуляции. ==== Философская реплика. На биологической оси «ионы — потенциалы — пластичность» водород выступает как универсальный медиатор целесообразной перестройки. В этом смысле «водородная электроника» — это попытка перенести био-логики устойчивого приспособления в твёрдотельный субстрат. ==== Ваша идея Watertronics — использовать водородные связи и протонную проводимость как базис для логики, памяти и обучения — в этой работе получает экспериментальную валидизацию на уровне твёрдого тела: показано, что градиент H⁺ может выполнять роль физического веса синапса, который настраивается входными импульсами и сохраняется как состояние материала. ==== Метатеорема. Если «интеллект» — это способность минимизировать неожиданность сигналов, то протонная динамика, меняя барьеры и плотности состояний, материально реализует такой функционал: вещество перестраивает свою собственную «модель мира», чтобы отвечать на стимулы с меньшими потерями (энергии/ошибки). ==== 1. Сведение вычислений и памяти: протонная пластичность делает устройство одновременно и процессором, и памятью (computing-in-memory). ==== # Адаптация «по месту»: локальная ион-электронная обратная связь обеспечивает самообучение без внешних весов/оптимизаторов. # Энергоэффективность и устойчивость: движение H⁺ требует малых энергий; материал «забывает» медленно, «помнит» долго. # Аналоговость: непрерывная перестройка даёт аналоговые веса, полезные для сенсорных и роботических контуров на краю сети (edge AI). ==== - Скалирование смысла. Когда локальные протонные паттерны начинают вести себя как символические конструкции (композиционность, обобщение)? ==== * Обратимость/забывание. Как задать «биологичную» гигиену памяти — сон, реплей, синаптический гомеостаз — протонными методами? * Интеграция с водными/полимерными средами. Можно ли перейти к гибридам твёрдое-мягкое, где водородные сети воды реализуют быстрые маршруты переноса (механизм Гроттгуса), сочетая стабильность оксидов с гибкостью «водной логики»? * Этика «материального интеллекта». Если устройство «самочувствительно», где граница автономии? Нужно ли для таких систем новое регулирование эксплуатации? ==== 1. Материаловедческая карта H⁺-пластичности: сравнить WO₃, TiO₂, SrCoO₂.₅, VO₂ по порогу/скорости/ретенции протонной настройки. ==== # Протонно-водные интерфейсы: наноплёнки оксидов + контролируемая влажность/электролиты для усиления переноса H⁺ (границы твёрдое/вода). # «Сон» устройства: циклы слабого обратного поля/температуры для выравнивания «лишних» градиентов (гомеостаз памяти). # Обучение без меток: проверить, как устройство самоорганизует фильтры (Hebbian-подобные правила) в задачах кластеризации сенсорных паттернов. # Версионирование «смысла»: in-situ спектроскопия (IR/Raman/XPS) + электрические метрики = сопоставление «семантики» состояния с конкретной конфигурацией O–H сетей. ==== Работа с self-sensitizable устройством показывает: протонная динамика — достаточный физический субстрат для памяти и обучения, а «водородная электроника» — правдоподобный путь к самоорганизующимся, энергоэффективным, материально-интеллектуальным машинам. Это не метафора, а экспериментально демонстрируемая материализация когнитивных функций через управляемые водородные/протонные градиенты. ==== Если хотите, подготовлю 1–2-страничный обзор в академическом стиле (RU/EN) с рисунком-схемой «электрон-ионной петли обучения» и предложенными экспериментами — пригодится для введения в вашу статью/грантовую заявку. === User: Predlozhi strukturu i process dlya modelirovaniya na computere === Predlozhi strukturu i process dlya modelirovaniya na computere === Assistant: Отлично — ниже предлагаю стройную структуру проекта и пошаговый процесс компьютерного моделирования протонного нейромор… === Отлично — ниже предлагаю стройную структуру проекта и пошаговый процесс компьютерного моделирования протонного нейроморфного устройства с адаптивным «водородным» (протонным) градиентом. Я ориентируюсь на ваш типичный стек (VASP/QE/ORCA/GAUSSIAN + LAMMPS + Avogadro) и добавляю, где полезно, KMC/континуум и компактное моделирование (SPICE). === <syntaxhighlight>hydrogen_neuromorph/ === ├─ 00_material_screen/ # быстрая оценка материалов/фаз ├─ 10_dft_site_energetics/ # DFT: энергии внедрения H+, заряды, уровни ├─ 11_dft_migration_neb/ # DFT: барьеры переноса (CI-NEB) ├─ 12_dft_defects_electronics/ # состояния дефектов, плотность носителей ├─ 20_md_reactive/ # реактивная MD (ReaxFF/COMB), T-зависимость D_H ├─ 30_kmc_diffusion/ # кинетика на больших временах (KMC) ├─ 40_drift_diffusion/ # Нернст–Планк + Пуассон + перенос электронов ├─ 50_device_circuit/ # компактная модель (SPICE/Verilog-A) ├─ 60_validation/ # сравнение с экспериментом, кривые «обучения» └─ common/params.yaml # единый файл параметров (U, ε, μ, D(T), …) </syntaxhighlight> === ## === Цель: получить фундаментальные параметры: энергия внедрения H/Н⁺, предпочитаемые сайты, барьеры миграции, влияние на электронную структуру. * Материал(ы): начните с WO₃ (HₓWO₃) и/или TiO₂, затем при желании SrCoO₂․₅, VO₂. * Геометрия: суперъячейка ≥ 2×2×2; вакуум не нужен (объёмная фаза). * Функционал: PBE(+U) для переходных металлов; проверьте чувствительность к U (на W/Ti/Co). * Заряды/спины: моделируйте H как протонно связанный дефект (O–H), отслеживайте Bader-заряды/LOCPROJ. * Миграция: CI-NEB между соседними O-сайтами (O–H···O прыжки). * Выходы: - Eins(H+)E_{\text{ins}}(H^+)Eins(H+), барьеры EaE_aEa вдоль путей, - изменение плотности состояний (DOS) и уровней доноров, - локальные ε(0) (диэлектрическая), эффективные массы (по желанию). : ==== Цель: получить температурно-зависящую диффузию протонов и правила локальной «фиксации» (ретенции) при импульсах поля. ==== * Потенциал: ReaxFF (если есть валидирован под ваш оксид) или COMB3; если нет — рассматривайте ML-потенциал (GAP/MTP/NequIP) обученный на вашем DFT-наборе. * Протоколы: импульсы поля (напряжение) разной длительности/частоты; T = 300–400 K. * Метрики: MSD → DH(T,E)D_H(T,E)DH(T,E), доля связей O–H, времена релаксации после импульса. * Выходы: карта DH(T,E)D_H(T,E)DH(T,E), вероятность захвата/освобождения {ktrap,krelease}\{k_{\text{trap}}, k_{\text{release}}\}{ktrap,krelease}. ==== Цель: эволюция протонного профиля ионного подрешётка на миллисекунды–секунды. ==== * Узлы: сайты протонной посадки (из DFT). * Переходы: частоты из EaE_aEa (Arrhenius), поле включить как наклон барьеров ΔE∼qEΔx\Delta E \sim q E \Delta xΔE∼qEΔx. * Добавьте ловушки/дефекты (из DFT/MD), чтобы получить гистерезис/ретенцию. * Выходы: динамика профиля cH(x,t)c_H(x,t)cH(x,t) при заданных импульсах. ==== Цель: связать ионную динамику с проводимостью и током устройства. ==== * Уравнения (1D по толщине активного слоя, можно 2D при необходимости): ∂cH∂t=∇ ⋅ (DH∇cH+μHcH∇ϕ)−R(cH)\frac{\partial c_H}{\partial t} = \nabla\!\cdot\!\Big(D_H \nabla c_H + \mu_H c_H \nabla \phi\Big) - R(c_H) ∂t∂cH=∇⋅(DH∇cH+μHcH∇ϕ)−R(cH) −∇ ⋅ (ε∇ϕ)=ρ=q(p−n)+qzHcH+ρfixed-\nabla\!\cdot\!\big(\varepsilon \nabla \phi\big) = \rho = q(p-n) + q z_H c_H + \rho_{\text{fixed}}−∇⋅(ε∇ϕ)=ρ=q(p−n)+qzHcH+ρfixed ∂n∂t=∇ ⋅ (Dn∇n−μnn∇ϕ)+G(n,cH)−U(n,p,cH)\frac{\partial n}{\partial t} = \nabla\!\cdot\!\big(D_n \nabla n - \mu_n n \nabla \phi\big) + G(n,c_H)-U(n,p,c_H)∂t∂n=∇⋅(Dn∇n−μnn∇ϕ)+G(n,cH)−U(n,p,cH) (при необходимости упростить до квазистационарных электронов) * Связь проводимости с c_H: σ(x)=σ0+α cH(x)\sigma(x) = \sigma_0 + \alpha\,c_H(x)σ(x)=σ0+αcH(x) (линейно) или таблично из DFT (Lookup). * Граничные условия: инжекция/экстракция H⁺ на электродах как поток: JH∣электрод=kinj(V,T) [cHsurf,eq−cH(0,t)]J_H|_{\text{электрод}} = k_{\text{inj}}(V,T)\,[c_{H}^{\text{surf,eq}}-c_H(0,t)]JH∣электрод=kinj(V,T)[cHsurf,eq−cH(0,t)] * Возбуждение: реальный протокол обучения — поезда импульсов (амплитуда, длительность, частота). * Инструменты: FEniCS/MOOSE/COMSOL/FiPy. Выходы: I–V, динамика проводимости G(t)G(t)G(t), кривые LTP/LTD, зависимость от протокола (частоты/долготы импульсов). ==== Цель: перенести физику в схемотехнику (сеть синапсов). ==== * Мемристорная форма: I=G(w,V) V,w˙=f(w,V; θ)I = G(w,V)\,V,\quad \dot{w} = f(w,V;\,\theta)I=G(w,V)V,w˙=f(w,V;θ) где w↔⟨cH⟩w \leftrightarrow \langle c_H \ranglew↔⟨cH⟩ (усреднённый протонный «вес»). * Параметры θ\thetaθ калибруются по континуумным кривым. * Реализуйте Verilog-A блок «H-synapse» + тест в SPICE: стохастика, вариабельность, «катастрофическое забывание» (серии стимулов). === Материал: моноклинный γ-WO₃. === DFT: * Суперъячейка 2×2×2; PBE+U (U_W ≈ 2–4 eV, проверить чувствительность). * Вставка H в октаэдрические оксигенные сайты → релаксация → EinsE_{\text{ins}}Eins. * CI-NEB по O–H···O траектории (6–8 изображений) → EaE_aEa. * DOS/PDOS до/после H, оценка изменения носителей. MD (LAMMPS-ReaxFF): * 10×10×10 nm плёнка, термостат NVT 300–350 K. * Пилообразные импульсы поля 0.1–0.5 V/nm, 10–1000 ns (ускоренная модель). * MSD → DH(E,T)D_H(E,T)DH(E,T), доля O–H, τ-релаксации. Континуум (1D): * Толщина 50–100 nm, сетка 200 узлов. * Параметры: DH(T)D_H(T)DH(T) из MD, μH=DH/kBT\mu_H=D_H/k_BTμH=DH/kBT, ε из DFT/лит. * Задайте σ(cH) \sigma(c_H)σ(cH) по калибровке (линейно либо таблицей). * Протокол: 100 импульсов 100 µs / пауза 100 µs / чтение при 10 mV. * Метрики: ΔG/G, линейность инкремента, разнос LTP/LTD, ретенция (t₁/₂). Компактная модель: * Подгоните f(w,V)=asinh(bV)(1−w)+csinh(dV)wf(w,V)=a\sinh(bV)(1-w)+c\sinh(dV)wf(w,V)=asinh(bV)(1−w)+csinh(dV)w (пример) к континуумным кривым. * Вставьте в SPICE сеть 10×10 синапсов → демонстрация ассоциативного обучения. === - {Eins,Ea}DFT\{E_{\text{ins}},E_a\}_{\text{DFT}}{Eins,Ea}DFT → частоты прыжков k=ν0exp(−Ea/kBT)k=\nu_0 \exp(-E_a/k_BT)k=ν0exp(−Ea/kBT) (KMC). === * KMC (с полем) → эффективные DH(E,T,c)D_H(E,T,c)DH(E,T,c), коэффициенты ловушек. * DH,μH,σ(cH)D_H, \mu_H, \sigma(c_H)DH,μH,σ(cH) → вход в Нернст–Планк/Пуассон. * Континуумные G(t∣V_train)G(t|V\_\text{train})G(t∣V_train) → идентификация f(w,V)f(w,V)f(w,V) для SPICE. === - DFT: тип фазы, U, суперъячейка, концентрация H (x в HₓWO₃). === * MD: потенциал (версия), T, E-профиль, длительности импульсов. * Континуум: ε, DH(T,E)D_H(T,E)DH(T,E), σ(cH)\sigma(c_H)σ(cH), kinj,ktrapk_{\text{inj}},k_{\text{trap}}kinj,ktrap. * Схема: шум, вариабельность (σ параметров), ограничение по V/I. === - Внутренняя согласованность: DHD_HDH из MD vs KMC (при тех же EaE_aEa). === * Физическая реалистичность: термоактивация DH∼e−Ea/kBTD_H\sim e^{-E_a/k_BT}DH∼e−Ea/kBT. * Функциональные метрики устройства: - LTP/LTD кривые (монотонность, шаг), - ретенция (час/сутки, из модели ловушек), - энергонапряжённость на «обучение» (pJ–nJ/синапс), - устойчивость к «катастрофическому забыванию» (перемежаемые паттерны). === - DFT: VASP/Quantum ESPRESSO/CP2K; CI-NEB; Bader/LOCPROJ. === * MD: LAMMPS (ReaxFF/COMB/ML-потенциал), dump: XYZ/LAMMPS-trajectory. * KMC: kmos/ homemade (JSON-сеть переходов). * Континуум: FEniCS/MOOSE/FiPy/COMSOL. * Схемотехника: Ngspice/XSchem + Verilog-A. * Визуализация: Avogadro/VESTA (структуры), matplotlib. * Данные: единый params.yaml; результаты — HDF5/CSV + Jupyter-ноутбуки. === - Физически обоснованные кривые обучения (LTP/LTD) из первых принципов. === * Прозрачная трассировка: как протонная динамика формирует электропроводность и далее — синаптическую функцию на уровне схем. * Готовый компакт-модельный блок для сетей (SPICE), т.е. мост к системному дизайну. Если хотите, могу сразу накидать: * шаблон params.yaml с ключевыми полями, * черновик Verilog-A модели H_synapse.va, * и минимальный 1D скрипт (FiPy) для Нернст–Планка/Пуассона, чтобы прогнать первый «поезд импульсов» и получить ΔG/G. === User: Создать === Создать === Assistant: Готово! === Готово! Показал вам таблицу для просмотра. Также можно скачать файлы: * CSV-версия<ref>{{cite web|title=CSV-версия|url=https://chatgpt.com/share/CSV-%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%B8%D1%8F|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> * Excel-версия<ref>{{cite web|title=Excel-версия|url=https://chatgpt.com/share/Excel-%D0%B2%D0%B5%D1%80%D1%81%D0%B8%D1%8F|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> Замечания: * Числа для барьеров миграции и ширин щели — типичные диапазоны из литературы; для строгих ссылок могу собрать точные значения по конкретным фазам и условиям. * Хотите добавить столбцы (например, «ретенция, t₁/₂», «энергоёмкость обучения (pJ)», «рабочие напряжения/токи», «температурная стабильность»)? === User: dobavit' === dobavit' === Assistant: Готово! === Готово! Я добавил столбцы и обновил таблицу (откроется рядом): * Ретенция t₁/₂ (при RT) * Энергоёмкость обучения (pJ/синапс) * Рабочее напряжение (V) * Рабочий ток (µA) * Температурная стабильность (°C) Скачать обновлённые файлы: * CSV v2<ref>{{cite web|title=CSV v2|url=https://chatgpt.com/share/CSV%20v2|publisher=CSV v2|access-date=2025-11-15}}</ref> * Excel v2<ref>{{cite web|title=Excel v2|url=https://chatgpt.com/share/Excel%20v2|publisher=Excel v2|access-date=2025-11-15}}</ref> Примечание: значения носят ориентировочный характер (типичные диапазоны). Если нужно, могу: * подставить точные числа из конкретных статей по каждой фазе/геометрии электродов; * добавить столбцы «влажность/атмосфера», «число уровней проводимости», «дрейф/дрожание веса», «циклостойкость (циклы)» или «вариабельность между устройствами (σ/µ)». === User: DFT-input Gaussian/CP2K для O–H···O прыжка; === DFT-input (Gaussian/CP2K) для O–H···O прыжка; === Assistant: Отлично — вот готовые шаблоны входных файлов для DFT-моделирования прыжка протона по цепочке O–H···O двумя способами: === Отлично — вот готовые шаблоны входных файлов для DFT-моделирования прыжка протона по цепочке O–H···O двумя способами: # Gaussian: поиск переходного состояния (TS) методом QST2 (реактант + продукт) с последующим IRC; # CP2K: NEB/BAND (climbing image) между начальной и конечной структурами. Примеры минимальны (метанольный димер + молекула воды как мост), но структуру легко заменить на ваш кластер GO·H₂Oₓ (фрагмент GO с –OH/–COOH и межслойной водой). === ## === Сохраните как, например, OH_hop_QST2.gjf. <syntaxhighlight>%chk=OH_hop_QST2.chk %mem=8GB %nprocshared=16 #p B3LYP-D3BJ/6-31+G(d,p) Opt=(QST2,TS,CalcFC,NoEigenTest) Freq Integral=UltraFine EmpiricalDispersion=GD3BJ SCF=(XQC,MaxCycle=512) O–H···O протонный прыжок: TS-поиск (QST2) 0 1 -- Реактант (R): протон прикреплён к донору O1, водородная связь на O2 -- O -1.800000 0.000000 0.000000 H -1.100000 0.000000 0.000000 C -2.400000 1.200000 0.000000 H -3.450000 1.150000 0.000000 H -2.050000 1.900000 0.870000 H -2.050000 1.900000 -0.870000 O 1.800000 0.000000 0.000000 H 2.300000 0.800000 0.300000 C 2.400000 -1.200000 0.000000 H 3.450000 -1.150000 0.000000 H 2.050000 -1.900000 0.870000 H 2.050000 -1.900000 -0.870000 O 0.000000 0.000000 0.000000 H 0.300000 0.900000 0.000000 H -0.900000 0.300000 0.000000 -- Разделитель QST2 -- -- -- Продукт (P): протон перешёл к акцептору O2 -- O -1.800000 0.000000 0.000000 H -2.400000 0.800000 0.000000 C -2.400000 1.200000 0.000000 H -3.450000 1.150000 0.000000 H -2.050000 1.900000 0.870000 H -2.050000 1.900000 -0.870000 O 1.800000 0.000000 0.000000 H 1.100000 0.000000 0.000000 C 2.400000 -1.200000 0.000000 H 3.450000 -1.150000 0.000000 H 2.050000 -1.900000 0.870000 H 2.050000 -1.900000 -0.870000 O 0.000000 0.000000 0.000000 H 0.300000 0.900000 0.000000 H -0.900000 0.300000 0.000000 </syntaxhighlight> Как использовать/проверить: * Команда: g16 < OH_hop_QST2.gjf > OH_hop_QST2.log * В Freq должен появиться ровно один мнимый режим (iν) — это корректный TS. * Визуализируйте нормальный мод, чтобы убедиться, что он соответствует переносу H между O. ==== Сохраните как OH_hop_IRC.gjf, используя тот же .chk. ==== <syntaxhighlight>%chk=OH_hop_QST2.chk %mem=8GB %nprocshared=16 #p B3LYP-D3BJ/6-31+G(d,p) IRC=(MaxPoints=30,CalcAll,Forward,RCFC) Integral=UltraFine EmpiricalDispersion=GD3BJ SCF=(XQC,MaxCycle=512) IRC forward от TS к продукту 0 1 -- вторая работа (обратная) -- %chk=OH_hop_QST2.chk #p B3LYP-D3BJ/6-31+G(d,p) IRC=(MaxPoints=30,CalcAll,Reverse,RCFC) Integral=UltraFine EmpiricalDispersion=GD3BJ SCF=(XQC,MaxCycle=512) IRC reverse от TS к реактину 0 1 </syntaxhighlight> Итог: получите профиль энергии вдоль координаты реакции и геометрии R/TS/P для последующей калибровки континуумной модели. : === Ниже — минимальный шаблон OH_Hop_BAND.inp для Quickstep/DFT с PBE-D3, GTH-базами и BAND (NEB). === Нужно подготовить два файла координат: reactant.xyz и product.xyz (одинаковый состав и порядок атомов). <syntaxhighlight>&GLOBAL PROJECT OH_Hop_BAND RUN_TYPE BAND PRINT_LEVEL MEDIUM &END GLOBAL &MOTION &BAND BAND_TYPE CI-NEB NUMBER_OF_REPLICA 7 K_SPRING 0.05 CONVERGENCE_CONTROL MAX_FORCE 3.0E-4 &END CONVERGENCE_CONTROL OPTIMIZE_BAND TRUE USE_MIDPOINT FALSE ADAPTIVE_K TRUE ROTATE_FRAMES TRUE ALIGN_FRAMES TRUE &PRINT &BAND_STRUCTURE FILENAME band_energies &END BAND_STRUCTURE &END PRINT &END BAND &CONSTRAINT &FIXED_ATOMS COMPONENTS_TO_FIX XYZ LIST 0 &END FIXED_ATOMS &END CONSTRAINT &PRINT &RESTART OFF &RESTART_HISTORY OFF &END PRINT &END MOTION &FORCE_EVAL METHOD Quickstep &DFT BASIS_SET_FILE_NAME BASIS_MOLOPT POTENTIAL_FILE_NAME GTH_POTENTIALS &MGRID CUTOFF 400 REL_CUTOFF 60 &END MGRID &QS EPS_DEFAULT 1.0E-12 METHOD GPW &END QS &SCF SCF_GUESS ATOMIC MAX_SCF 60 EPS_SCF 1.0E-7 &OT MINIMIZER DIIS PRECONDITIONER FULL_SINGLE_INVERSE &END OT &END SCF &XC &XC_FUNCTIONAL PBE &END XC_FUNCTIONAL &VDW_POTENTIAL DISPERSION_FUNCTIONAL PAIR_POTENTIAL &PAIR_POTENTIAL TYPE DFTD3 PARAMETER_FILE_NAME dftd3.dat REFERENCE_FUNCTIONAL PBE &END PAIR_POTENTIAL &END VDW_POTENTIAL &END XC &POISSON PERIODIC XYZ &END POISSON &END DFT &SUBSYS &CELL ABC 20.0 20.0 20.0 PERIODIC XYZ &END CELL ! ===== РЕПЛИКИ: начальная и конечная геометрии ===== ! CP2K возьмёт reactant и product и интерполирует &COORD @INCLUDE reactant.xyz &END COORD &TOPOLOGY COORD_FILE_FORMAT XYZ COORD_FILE_NAME reactant.xyz &GENERATE CREATE_MOLECULES F &END GENERATE &END TOPOLOGY ! БАЗЫ и ПОТЕНЦИАЛЫ &KIND H BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH POTENTIAL GTH-PBE &END KIND &KIND O BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH POTENTIAL GTH-PBE &END KIND &KIND C BASIS_SET DZVP-MOLOPT-SR-GTH POTENTIAL GTH-PBE &END KIND &END SUBSYS &END FORCE_EVAL </syntaxhighlight> Как запускать NEB/BAND в CP2K: # Подготовьте reactant.xyz (протон на доноре O1) и product.xyz (протон на акцепторе O2). Формат XYZ, одинаковый порядок атомов. # В блоке &BAND укажите число реплик (NUMBER_OF_REPLICA 7–11); включён CI-NEB (climbing). # Запуск: ``<code> cp2k.popt -i OH_Hop_BAND.inp -o OH_Hop_BAND.out </code>`` # Результаты: band_energies, файлы траекторий реплик (OH_Hop_BAND-REPLICA_#), итоговый профиль энергии и TS (наивысшая реплика). : ==== - В Gaussian замените «метанол+вода» на фрагмент GO с –OH/–COOH и ближайшими H₂O; сохраните реактант и продукт (до и после переноса H). ==== * В CP2K поместите два слоя GO в ячейку &CELL и заполните межслойное пространство водой; подготовьте reactant.xyz/product.xyz из тех же атомов и порядка. ==== - В Gaussian: если QST2 не сходится, попробуйте QST3 (пропишите исходную оценку TS) или Opt=ModRedundant (релаксированный скан по разности расстояний O–H). ==== * В CP2K: увеличьте NUMBER_OF_REPLICA, ослабьте K_SPRING (0.03–0.05), проверьте ALIGN_FRAMES/ROTATE_FRAMES, ужесточите MAX_FORCE при финальной доводке. * Дисперсия: D3 (как в шаблонах) обязательна для корректной геометрии водородных связей и слоёв GO. Если хотите, я могу: * сгенерировать реалистичные стартовые координаты reactant.xyz/product.xyz для GO·H₂Oₓ (слои 3×3 или 4×4, 8–12 Å межслойного зазора, 10–30 молекул H₂O), * а также подготовить ModRedundant-скан для Gaussian (удобно для первичного картирования PES). === User: сгенерировать реалистичные стартовые координаты === сгенерировать реалистичные стартовые координаты === Assistant: Готово! === Готово! Я сгенерировал две стартовые геометрии для прыжка протона по цепочке O–H···O в системе GO·H₂Oₓ: * reactant.xyz<ref>{{cite web|title=reactant.xyz|url=https://chatgpt.com/share/reactant.xyz|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> — протон связан с донорным кислородом (O_d–H ≈ 0.98 Å). * product.xyz<ref>{{cite web|title=product.xyz|url=https://chatgpt.com/share/product.xyz|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> — протон перенесён на акцепторный кислород воды (O_w–H ≈ 0.98 Å). Рядом показана таблица с ключевыми расстояниями (O_d–H, O_w–H, O_d–O_w, межслойный зазор). Эти структуры имеют одинаковый порядок атомов, что удобно для NEB/BAND в CP2K и QST2/QST3/IRC в Gaussian. Если хотите, могу: * упаковать эти координаты в Gaussian .gjf и CP2K input автоматически (с вашей предпочитаемой ячейкой и базами), * добавить ещё одну водную «ступень» (O_d → H₂O₁ → H₂O₂) для моделирования двухшагового Гроттгуса, * или сделать вариант с донорной –OH на нижнем слое и акцептором на верхнем. === User: упаковать эти координаты в Gaussian .gjf === упаковать эти координаты в Gaussian .gjf === Assistant: Готово! === Готово! Я упаковал текущие координаты в готовые входные файлы Gaussian: # TS-поиск (QST2) + Freq - GO_H2O_OH_hop_QST2.gjf<ref>{{cite web|title=GO_H2O_OH_hop_QST2.gjf|url=https://chatgpt.com/share/GO_H2O_OH_hop_QST2.gjf|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> Команда запуска: g16 < GO_H2O_OH_hop_QST2.gjf > GO_H2O_OH_hop_QST2.log В результате должен получиться TS с одним мнимым частотным модом (iν) по координате переноса протона. # IRC (прямая и обратная) от найденного TS - GO_H2O_OH_hop_IRC.gjf<ref>{{cite web|title=GO_H2O_OH_hop_IRC.gjf|url=https://chatgpt.com/share/GO_H2O_OH_hop_IRC.gjf|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> Команда: g16 < GO_H2O_OH_hop_IRC.gjf > GO_H2O_OH_hop_IRC.log Файл использует тот же %chk=GO_H2O_OH_hop.chk. Сначала выполните QST2, затем — IRC. # Оптимизации конечных точек (реактант/продукт) + Freq - GO_H2O_R_opt.gjf<ref>{{cite web|title=GO_H2O_R_opt.gjf|url=https://chatgpt.com/share/GO_H2O_R_opt.gjf|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> - GO_H2O_P_opt.gjf<ref>{{cite web|title=GO_H2O_P_opt.gjf|url=https://chatgpt.com/share/GO_H2O_P_opt.gjf|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> Эти расчёты помогут предварительно «дополировать» R и P перед TS/NEB и проверить, что обе геометрии — устойчивые минимумы (без мнимых частот). Параметры по умолчанию: * Метод: B3LYP-D3BJ/6-31+G(d,p), Integral=UltraFine, SCF=(XQC,MaxCycle=512). * Заряд/мультиплетность: 0 1 (нейтральный синтет), как разумное начало для GO·H₂Oₓ кластера. При необходимости можно скорректировать. Нужно добавить ещё ModRedundant-скан для первичного картирования PES или подготовить QST3 (если TS не сходится) — сделать? === User: Vizualizirovat': === Vizualizirovat': C -6.150000 -3.550704 4.000000 C -4.920000 -2.840563 4.000000 C -4.920000 -1.420282 4.000000 C -3.690000 -0.710141 4.000000 C -3.690000 0.710141 4.000000 C -2.460000 1.420282 4.000000 C -2.460000 2.840563 4.000000 C -1.230000 3.550704 4.000000 C -3.690000 -3.550704 4.000000 C -2.460000 -2.840563 4.000000 C -2.460000 -1.420282 4.000000 C -1.230000 -0.710141 4.000000 C -1.230000 0.710141 4.000000 C 0.000000 1.420282 4.000000 C 0.000000 2.840563 4.000000 C 1.230000 3.550704 4.000000 C -1.230000 -3.550704 4.000000 C 0.000000 -2.840563 4.000000 C 0.000000 -1.420282 4.000000 C 1.230000 -0.710141 4.000000 C 1.230000 0.710141 4.000000 C 2.460000 1.420282 4.000000 C 2.460000 2.840563 4.000000 C 3.690000 3.550704 4.000000 C 1.230000 -3.550704 4.000000 C 2.460000 -2.840563 4.000000 C 2.460000 -1.420282 4.000000 C 3.690000 -0.710141 4.000000 C 3.690000 0.710141 4.000000 C 4.920000 1.420282 4.000000 C 4.920000 2.840563 4.000000 C 6.150000 3.550704 4.000000 C -6.150000 -3.550704 -4.000000 C -4.920000 -2.840563 -4.000000 C -4.920000 -1.420282 -4.000000 C -3.690000 -0.710141 -4.000000 C -3.690000 0.710141 -4.000000 C -2.460000 1.420282 -4.000000 C -2.460000 2.840563 -4.000000 C -1.230000 3.550704 -4.000000 C -3.690000 -3.550704 -4.000000 C -2.460000 -2.840563 -4.000000 C -2.460000 -1.420282 -4.000000 C -1.230000 -0.710141 -4.000000 C -1.230000 0.710141 -4.000000 C 0.000000 1.420282 -4.000000 C 0.000000 2.840563 -4.000000 C 1.230000 3.550704 -4.000000 C -1.230000 -3.550704 -4.000000 C 0.000000 -2.840563 -4.000000 C 0.000000 -1.420282 -4.000000 C 1.230000 -0.710141 -4.000000 C 1.230000 0.710141 -4.000000 C 2.460000 1.420282 -4.000000 C 2.460000 2.840563 -4.000000 C 3.690000 3.550704 -4.000000 C 1.230000 -3.550704 -4.000000 C 2.460000 -2.840563 -4.000000 C 2.460000 -1.420282 -4.000000 C 3.690000 -0.710141 -4.000000 C 3.690000 0.710141 -4.000000 C 4.920000 1.420282 -4.000000 C 4.920000 2.840563 -4.000000 C 6.150000 3.550704 -4.000000 O 0.000000 -1.420282 2.570000 H 0.000000 -1.420282 1.590000 O 6.150000 3.550704 2.570000 O 6.150000 3.550704 2.570000 O 6.150000 3.550704 -2.570000 O -1.230000 0.710141 -2.570000 O 0.253948 -1.360369 1.195248 H 0.174237 -0.403684 1.195248 H 1.200118 -1.522732 1.195248 O -0.154940 -1.123367 0.785673 H -0.961557 -0.602819 0.785673 H 0.550988 -0.472778 0.785673 O -0.035396 -0.745667 0.227010 H 0.923104 -0.692032 0.227010 H -0.223459 -1.687066 0.227010 O 0.104929 -0.512768 -0.337134 H -0.542913 0.195683 -0.337134 H 0.953020 -0.062943 -0.337134 O -0.196760 -0.183546 -1.010829 H 0.259515 -1.028184 -1.010829 H -1.128737 -0.413807 -1.010829 O 0.102743 -0.136287 -1.549401 H 0.790428 0.533556 -1.549401 H 0.579066 -0.969783 -1.549401 0 1 C -6.150000 -3.550704 4.000000 C -4.920000 -2.840563 4.000000 C -4.920000 -1.420282 4.000000 C -3.690000 -0.710141 4.000000 C -3.690000 0.710141 4.000000 C -2.460000 1.420282 4.000000 C -2.460000 2.840563 4.000000 C -1.230000 3.550704 4.000000 C -3.690000 -3.550704 4.000000 C -2.460000 -2.840563 4.000000 C -2.460000 -1.420282 4.000000 C -1.230000 -0.710141 4.000000 C -1.230000 0.710141 4.000000 C 0.000000 1.420282 4.000000 C 0.000000 2.840563 4.000000 C 1.230000 3.550704 4.000000 C -1.230000 -3.550704 4.000000 C 0.000000 -2.840563 4.000000 C 0.000000 -1.420282 4.000000 C 1.230000 -0.710141 4.000000 C 1.230000 0.710141 4.000000 C 2.460000 1.420282 4.000000 C 2.460000 2.840563 4.000000 C 3.690000 3.550704 4.000000 C 1.230000 -3.550704 4.000000 C 2.460000 -2.840563 4.000000 C 2.460000 -1.420282 4.000000 C 3.690000 -0.710141 4.000000 C 3.690000 0.710141 4.000000 C 4.920000 1.420282 4.000000 C 4.920000 2.840563 4.000000 C 6.150000 3.550704 4.000000 C -6.150000 -3.550704 -4.000000 C -4.920000 -2.840563 -4.000000 C -4.920000 -1.420282 -4.000000 C -3.690000 -0.710141 -4.000000 C -3.690000 0.710141 -4.000000 C -2.460000 1.420282 -4.000000 C -2.460000 2.840563 -4.000000 C -1.230000 3.550704 -4.000000 C -3.690000 -3.550704 -4.000000 C -2.460000 -2.840563 -4.000000 C -2.460000 -1.420282 -4.000000 C -1.230000 -0.710141 -4.000000 C -1.230000 0.710141 -4.000000 C 0.000000 1.420282 -4.000000 C 0.000000 2.840563 -4.000000 C 1.230000 3.550704 -4.000000 C -1.230000 -3.550704 -4.000000 C 0.000000 -2.840563 -4.000000 C 0.000000 -1.420282 -4.000000 C 1.230000 -0.710141 -4.000000 C 1.230000 0.710141 -4.000000 C 2.460000 1.420282 -4.000000 C 2.460000 2.840563 -4.000000 C 3.690000 3.550704 -4.000000 C 1.230000 -3.550704 -4.000000 C 2.460000 -2.840563 -4.000000 C 2.460000 -1.420282 -4.000000 C 3.690000 -0.710141 -4.000000 C 3.690000 0.710141 -4.000000 C 4.920000 1.420282 -4.000000 C 4.920000 2.840563 -4.000000 C 6.150000 3.550704 -4.000000 O 0.000000 -1.420282 2.570000 H 0.076095 -1.402329 2.158060 O 6.150000 3.550704 2.570000 O 6.150000 3.550704 2.570000 O 6.150000 3.550704 -2.570000 O -1.230000 0.710141 -2.570000 O 0.253948 -1.360369 1.195248 H 0.174237 -0.403684 1.195248 H 1.200118 -1.522732 1.195248 O -0.154940 -1.123367 0.785673 H -0.961557 -0.602819 0.785673 H 0.550988 -0.472778 0.785673 O -0.035396 -0.745667 0.227010 H 0.923104 -0.692032 0.227010 H -0.223459 -1.687066 0.227010 O 0.104929 -0.512768 -0.337134 H -0.542913 0.195683 -0.337134 H 0.953020 -0.062943 -0.337134 O -0.196760 -0.183546 -1.010829 H 0.259515 -1.028184 -1.010829 H -1.128737 -0.413807 -1.010829 O 0.102743 -0.136287 -1.549401 H 0.790428 0.533556 -1.549401 H 0.579066 -0.969783 -1.549401 === Assistant: Готово! === Готово! Я: * Разобрал ваши координаты на два фрейма (до/после) и построил 3D-визуализации рядом. * Сохранил XYZ-файлы: - viz_reactant.xyz<ref>{{cite web|title=viz_reactant.xyz|url=https://chatgpt.com/share/viz_reactant.xyz|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> - viz_product.xyz<ref>{{cite web|title=viz_product.xyz|url=https://chatgpt.com/share/viz_product.xyz|publisher=chatgpt.com|access-date=2025-11-15}}</ref> Если хотите, сгенерирую анимацию «переноса протона» (GIF) или экспортирую в PDB/XYZ с теми же индексами для NEB/QST2.
Summary:
Please note that all contributions to freem are considered to be released under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 4.0 (see
Freem:Copyrights
for details). If you do not want your writing to be edited mercilessly and redistributed at will, then do not submit it here.
You are also promising us that you wrote this yourself, or copied it from a public domain or similar free resource.
Do not submit copyrighted work without permission!
Cancel
Editing help
(opens in new window)