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=== Assistant: 非常好的问题——“肖特基接触”和“欧姆接触”是半导体器件物理中最基本、但也最容易混淆的两个概念。下面我用清晰分层的方式解释它们的物理本质、能带结构、制备方法与应用区别。 ===
非常好的问题——“肖特基接触”和“欧姆接触”是半导体器件物理中最基本、但也最容易混淆的两个概念。下面我用清晰分层的方式解释它们的物理本质、能带结构、制备方法与应用区别。

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当金属（功函数 φ_m）与 n 型半导体（功函数 φ_s）接触时：
* 若 φ_m > φ_s，金属的功函数较大，电子从半导体流向金属；
* 半导体表面出现耗尽层，能带上弯；
* 形成肖特基势垒 ΦB = φ_m - χ_s（χ_s 为半导体电子亲和势）；
* 电流需通过热激发或隧穿越过势垒。

📈 结果：正向偏压时电流大（势垒降低），反向偏压时电流小（势垒增高）
👉 这就是整流特性（如二极管）。

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===== 要形成欧姆接触，需要让界面势垒几乎消失或载流子可轻易隧穿： =====
* 重掺杂半导体接触区 → 耗尽层极薄（几纳米）；
* 载流子可通过量子隧穿效应自由通过；
* 电流与电压成正比，I = V / R_c，其中 R_c 是接触电阻。

📈 结果：无整流效应，表现为线性 I–V 特性。

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==== 1. 肖特基接触例子 - 器件：肖特基二极管 - 典型结构：Au–n-Si - 特点：开关快、反向恢复时间短 - 应用：高速整流、电源、射频电路 ====
# 欧姆接触例子 - 器件：MOSFET 源极/漏极接触、LED 电极 - 典型结构：Al–n⁺-Si，Au–p⁺-GaAs - 目标：降低接触电阻，保证载流子高效注入/提取

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如果你希望，我可以帮你画出这两种接触的能带图对比（在不同偏压下），能更直观地理解电流方向与势垒变化。
要我画一张图说明吗？