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=== Assistant: 非常好的问题。💡 ===
非常好的问题。💡
——这是很多半导体物理课学生都会纠结的核心点。
要真正回答清楚：肖特基接触和欧姆接触的本质区别，到底在势垒高度还是宽度？

我们必须区分：

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换句话说：

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电子能否通过势垒，有两种路径：
# 爬过去（热激发） → 受 ΦB 控制；
# 穿过去（量子隧穿） → 受 W 控制。

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所以：
* 欧姆接触出现的关键不是势垒“完全消失”，而是势垒宽度极小 → 隧穿几乎不受阻。
* 势垒高度即使仍有 0.5 eV，也可以通过隧穿形成欧姆接触（只要势垒足够薄）。

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<syntaxhighlight>金属 |                半导体
EF ------------------------------ 
                    /
                   /
                  /   ← 宽且高的势垒 ΦB

</syntaxhighlight>

===== <syntaxhighlight>金属 |                半导体 (重掺杂) =====
EF ------------------------------
                  _/  ← 极薄势垒，电子可隧穿

</syntaxhighlight>

==== 即便势垒高度很低（例如 0.1 eV），如果半导体掺杂低（W 宽达几十 nm）， ====
电子仍需热激发才能通过势垒 → 仍表现为整流（肖特基）。

相反，即使势垒高（0.7 eV），若掺杂极高（W ≈ 2 nm），电子可直接隧穿 → 线性 I–V（欧姆）。

👉 所以：势垒宽度才是真正决定接触是否“欧姆”的核心因素。

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✅ 一句终极记忆：

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如果你愿意，我可以进一步推导出“势垒宽度临界值”与掺杂浓度、介电常数的定量关系（即欧姆接触条件：W≲3 nmW \lesssim 3~\text{nm}W≲3 nm → 求出对应 NDN_DND）。
要我做这个定量推导吗？