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金属 和 n 型半导体 各自独立时：

<syntaxhighlight>金属:              半导体:
EFm                EFs
|                  |
|<--- φm --->|     |<--- χ + (Ec - EFs) --->|
              ______Ec (导带)
              ______Ef (费米能级)
              ______Ev (价带)

</syntaxhighlight>
* φₘ：金属功函数
* χ：半导体电子亲和势
* Ec–Ef：反映半导体掺杂浓度

===== 当金属与 n 型半导体接触并达到'''费米能级平衡（EF 连平）'''后： =====

<syntaxhighlight>金属区                     半导体区
       EF ------------------------------ 
       |                        /
       |                      /
       |                    /
       |                  /
       |________________/__________  ← Ec 上弯
                             ↑
                             ΦB (肖特基势垒)

</syntaxhighlight>
* 半导体一侧的导带上弯 → 表示形成耗尽层；
* 电子必须克服势垒 ΦB 才能从半导体流向金属；
* 反向偏压时，势垒更高 → 电流受阻；
* 正向偏压时，势垒变低 → 电流增大。

📈 → 整流特性：I–V 呈指数单向导通